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安条克八世（，安条克世公元前123年，安条克世），安条克世其同母异父兄弟安条克九世煽动反叛持续数年，安条克世公元前125年—公元前96年为塞琉古王朝国王。安条克世但却要面对一系列反叛。安条克世德米特里二世与“女神”克麗奧佩脫拉·特婭之子，安条克世 参考 外部链接 Antiochus VIII Grypus entry in historical sourcebook by Mahlon H. Smith 古希臘政治人物 遇刺身亡的安条克世君主他夺回“沽名者”亞歷山大二世僭居的安条克世王位（公元前128年—公元前123年），
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本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。
一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口
当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。
同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。
行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。
二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑
DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：
1
设计感知驱动的靶向检测
传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。
2
检测效率的量级提升
通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：
后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%
中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%
栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下
基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。
3
设计感知学习与属性分析能力
DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。
eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。
三、高难度场景的应用突破
PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：
背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测
键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。
3D DRAM检测
3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。
DRAM 阵列短路检测
独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。
四、行业落地实践与全流程应用
自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：
先进逻辑芯片制造
中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测
后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测
背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测
随机逻辑电路漏电情况评估
先进 DRAM 制造（2024-2025 年）
外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位
存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测
技术总结
在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。
该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。
" lazy="随着半导体制程向先进节点演进，3D 晶体管架构与多层互连堆叠技术的规模化应用，使得器件缺陷的隐蔽性与检测难度显著提升。传统光学检测技术已难以满足电学相关缺陷的识别需求，而电子束检测的效率瓶颈又制约了量产应用。DirectScan检测通过核心技术创新破解了这一行业痛点，为下一代半导体制造提供了高效、精准的检测解决方案。
本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。
一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口
当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。
同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。
行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。
二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑
DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：
1
设计感知驱动的靶向检测
传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。
2
检测效率的量级提升
通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：
后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%
中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%
栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下
基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。
3
设计感知学习与属性分析能力
DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。
eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。
三、高难度场景的应用突破
PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：
背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测
键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。
3D DRAM检测
3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。
DRAM 阵列短路检测
独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。
四、行业落地实践与全流程应用
自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：
先进逻辑芯片制造
中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测
后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测
背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测
随机逻辑电路漏电情况评估
先进 DRAM 制造（2024-2025 年）
外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位
存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测
技术总结
在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。
该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。
" alt="DirectScan 技术解析：下一代半导体电子束检测的创新路径与应用" title="DirectScan 技术解析：下一代半导体电子束检测的创新路径与应用">2026-06-06
2026-06-06
2026-06-06
2026-06-06
針對法人關注的股利配發率，蕭玉美說明，過去兩年華南金現金股利配發率均維持在 7 成以上，今年將綜合考量子公司現金股利上繳情形、財務比例、股利配發穩定性、現金流量及各子公司資本需求，並兼顧股東權益。
蕭玉美指出，去年華南金配發現金股利 1.25 元與股票股利 0.1 元，在 114 年獲利創高基石下，今年整體股利水準有望提升，預計 4 月提報董事會通過後正式公告。
為長期提升競爭力及永續發展，華南金控啟動「五年策略發展藍圖」。蕭玉美指出，新藍圖在既有的資本管控基礎上，進一步拉長時間軸，目標是從過去的「小而美」轉向「集團大化」規模發展。
蕭玉美強調，未來五年集團的複合成長率預計將達到高位數（High Single Digits）水平。針對 115 年度（2026 年）的營運目標，預期在持續優化獲利結構與提升資本使用效率的帶動下，今年獲利有望較去年成長一成以上。
在手續費收益方面，華南銀行對財富管理業務展現高度信心。目前華南銀行往來資產達 1 億元以上的高資產客戶數已突破 2300 人。華南銀主管補充，華南銀成立已逾百年，許多長期合作的中小企業夥伴正是高資產業務的主要來源，預期客戶數將隨台灣經濟動能一同成長。
此外，華南銀行正積極將全台高資產客戶引薦至亞資中心高雄專區開戶，以享有試辦業務相關服務。配合數位理財工具的優化，預估 115 年（2026 年）的手續費淨收益目標成長率將落在 5% 至 18% 之間。
" lazy="法說會現場，有小股東指出，華南金過去在獲利穩健年度多能提供優渥的股利回饋，參考同業及過往盈餘分配經驗，建議 114 年度的配發率應以 8 成（80%）為目標，以回饋長期支持的股東，且 114 年獲利創下亮眼成績，配發率的高低，將是市場評估華南金資本管理能力的重要指標。
針對法人關注的股利配發率，蕭玉美說明，過去兩年華南金現金股利配發率均維持在 7 成以上，今年將綜合考量子公司現金股利上繳情形、財務比例、股利配發穩定性、現金流量及各子公司資本需求，並兼顧股東權益。
蕭玉美指出，去年華南金配發現金股利 1.25 元與股票股利 0.1 元，在 114 年獲利創高基石下，今年整體股利水準有望提升，預計 4 月提報董事會通過後正式公告。
為長期提升競爭力及永續發展，華南金控啟動「五年策略發展藍圖」。蕭玉美指出，新藍圖在既有的資本管控基礎上，進一步拉長時間軸，目標是從過去的「小而美」轉向「集團大化」規模發展。
蕭玉美強調，未來五年集團的複合成長率預計將達到高位數（High Single Digits）水平。針對 115 年度（2026 年）的營運目標，預期在持續優化獲利結構與提升資本使用效率的帶動下，今年獲利有望較去年成長一成以上。
在手續費收益方面，華南銀行對財富管理業務展現高度信心。目前華南銀行往來資產達 1 億元以上的高資產客戶數已突破 2300 人。華南銀主管補充，華南銀成立已逾百年，許多長期合作的中小企業夥伴正是高資產業務的主要來源，預期客戶數將隨台灣經濟動能一同成長。
此外，華南銀行正積極將全台高資產客戶引薦至亞資中心高雄專區開戶，以享有試辦業務相關服務。配合數位理財工具的優化，預估 115 年（2026 年）的手續費淨收益目標成長率將落在 5% 至 18% 之間。
" alt="〈華南金法說〉47萬股東敲碗「8成」配發率！ 總座：股利「可以期待」優去年 以現金為主" title="〈華南金法說〉47萬股東敲碗「8成」配發率！ 總座：股利「可以期待」優去年 以現金為主">2026-06-06
近年来，省经信厅积极引导工业企业（园区）建立健全电力需求侧管理制度，改善电能质量，加强用电设备改造和信息化建设，促进电能替代、分布式能源利用、能源清洁和循环利用，全面提升我省工业领域用能效率和需求响应能力，有效降低企业用能成本、提高工业经济运行质量。 2016年至2020年，全省累计实现节约电量24亿千瓦时，节约电力60.2万千瓦。
此次入选的3家企业和园区在工业领域电力需求侧管理方面各有特点。安徽安利材料科技股份有限公司用电管理改变了以往节点主要靠单一产品和局部技术改造的做法，通过电能管理整体解决方案，有效提高了企业的综合经济效益。滁州惠科光电科技有限公司通过电力需求侧管理，增加电能有效利用率，降低了企业用能成本。亳州芜湖现代产业园区管委会通过建立智慧园区平台，不断提高园区资源优化配置能力、资源综合利用效率，协调水、气、电的多能互补，节约社会资源，促进低碳环保。（记者 汪国梁）
" lazy="工信部近日公布第六批全国工业领域电力需求侧管理示范企业（园区）名单，我省安徽安利材料科技股份有限公司、滁州惠科光电科技有限公司和亳州芜湖现代产业园区管委会等3家企业 （园区）入选。截至目前，全省共入选示范企业（园区）23家，数量居全国第2位、长三角第1位。
近年来，省经信厅积极引导工业企业（园区）建立健全电力需求侧管理制度，改善电能质量，加强用电设备改造和信息化建设，促进电能替代、分布式能源利用、能源清洁和循环利用，全面提升我省工业领域用能效率和需求响应能力，有效降低企业用能成本、提高工业经济运行质量。 2016年至2020年，全省累计实现节约电量24亿千瓦时，节约电力60.2万千瓦。
此次入选的3家企业和园区在工业领域电力需求侧管理方面各有特点。安徽安利材料科技股份有限公司用电管理改变了以往节点主要靠单一产品和局部技术改造的做法，通过电能管理整体解决方案，有效提高了企业的综合经济效益。滁州惠科光电科技有限公司通过电力需求侧管理，增加电能有效利用率，降低了企业用能成本。亳州芜湖现代产业园区管委会通过建立智慧园区平台，不断提高园区资源优化配置能力、资源综合利用效率，协调水、气、电的多能互补，节约社会资源，促进低碳环保。（记者 汪国梁）
" alt="3皖企入选“电力需求侧管理示范名单”" title="3皖企入选“电力需求侧管理示范名单”">2026-06-06
2026-06-06
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